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熱電阻溫度計(jì)選型

供應(yīng)數(shù)量:514

發(fā)布日期:2024/10/5

有效日期:2025/4/5

原 產(chǎn) 地:

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熱電阻溫度計(jì)選型

熱電阻(RTD)溫度計(jì),適用于衛(wèi)生和無菌應(yīng)用場合

公制型儀表,采用通用技術(shù)

適用于所有標(biāo)準(zhǔn)應(yīng)用場合,帶固定不可更換鎧裝 芯子

熱電阻溫度計(jì)選型

應(yīng)用

• 專門設(shè)計(jì)用于食品&飲料和生命科學(xué)行業(yè)中的衛(wèi)生和無菌應(yīng)用場合

• 測量范圍為–50…+200 °C (–58…+392 °F)

• Z大壓力為 50 bar (725 psi)

• Z高防護(hù)等為 IP69K

• 可以在非防爆區(qū)域中使用

測量原理

1。

通常,有兩種不同類型的鉑熱電阻:

• 繞線式(WW):由兩根細(xì)的高純度鉑絲在陶瓷載體內(nèi)繞制而成,并通過陶瓷保護(hù)層在載體頂部 和底部對(duì)鉑絲進(jìn)行密封處理。此類熱電阻具有高可重現(xiàn)性,過程溫度高達(dá) 600 °C (1112 °F)時(shí), 仍能保證良好的阻抗-溫度關(guān)系的長期穩(wěn)定性。繞線式(WW)熱電阻的體積較大,抗振性較差。

• 薄膜式鉑電阻溫度計(jì)(TF):在真空狀態(tài)下,將厚度約為 1 μm 的超高純度鉑層汽化固定在陶瓷基 板上,光刻制作而成。由此構(gòu)成的鉑導(dǎo)體形成測量阻抗。附加覆蓋層和鈍化層可靠保護(hù)薄鉑 層,防止高溫條件下出現(xiàn)氧化和污染。

薄膜式(TF)熱電阻與繞線式(WW)熱電阻相比,突出優(yōu)點(diǎn)為較小的體積和較好的抗振性。高溫條件 下,薄膜式(TF)熱電阻的阻抗-溫度關(guān)系偏差較小,符合 IEC 60751 標(biāo)準(zhǔn)。因此,薄膜式(TF)熱電阻的溫度測量誤差可達(dá)溫度等 A,符合 IEC 60751 標(biāo)準(zhǔn)(Z高溫度約為 300 °C (572 °F))。所以, 薄膜式(TF)熱電阻通常僅在溫度低于 400 °C (752 °F)的條件下測量。

Endress+Hauser 提供用于溫度測量點(diǎn)的整套優(yōu)化部件,包括將測量點(diǎn)無縫集成至整個(gè)工廠中的所 有所需部件。包括:

• 電源單元/隔離柵

• 顯示單元

• 過電壓保護(hù)單元




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